1. Гетеробиполярные транзисторы

За последние два десятилетия, благодаря технологиям эпитаксиального роста, гетеропереходные биполярные транзисторы (HBT) стали основными (ведущими/определяющими) устройствами для оптоэлектронных схем. По сравнению с их составными гомоструктурными элементами, использование широкозонных гетеропереходных эмиттеров позволяет создавать HBT с очень высокой степенью легирования базы [13]. Это обеспечивает более низкое сопротивление базы и емкость между базой и коллектором и обеспечивает лучшую радиочастотную производительность.